| 单壁碳纳米管场发射尖端电势模拟计算 |
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| 引用本文： | 郭连权,韩东,马贺,刘嘉慧,宋开颜,武鹤楠,王帅.单壁碳纳米管场发射尖端电势模拟计算[J].沈阳工业大学学报,2008,30(4):429-432. |
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| 作者姓名： | 郭连权 韩东 马贺 刘嘉慧 宋开颜 武鹤楠 王帅 |
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| 作者单位： | 沈阳工业大学,理学院,沈阳,110178 |
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| 摘 要： | 以Maxwell电磁场理论为基础，对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电势进行了模拟计算，发现在碳纳米管尖端附近，随着径向距离和轴向距离的增加，电势迅速增加；而离碳纳米管尖端较远的区域，随着径向距离和轴向距离的增加，电势增加缓慢直至为常数(即无碳纳米管时的背景场电势).说明了碳纳米管产生的激发 场为极强的小范围的局域场.该结果为单壁碳纳米管做场发射材料提供了有益的理论参考.
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| 关 键 词： | 单壁碳纳米管 场发射 电势 模拟 计算 |
Calculating and simulation for field emission tip electric potential of single-walled carbon nanotubes |
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| GUO Lian-quan,HAN Dong,MA He,LIU Jia-hui,SONG Kai-yan,WU He-nan,WANG Shuai.Calculating and simulation for field emission tip electric potential of single-walled carbon nanotubes[J].Journal of Shenyang University of Technology,2008,30(4):429-432. |
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| Authors: | GUO Lian-quan HAN Dong MA He LIU Jia-hui SONG Kai-yan WU He-nan WANG Shuai |
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