| 沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 于子龙,陈福义,介万奇,闫晓红. 沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响[J]. 功能材料, 2008, 39(5): 733-736 |
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| 作者姓名： | 于子龙 陈福义 介万奇 闫晓红 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 航空基础科学基金 |
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| 摘 要： | 使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜.研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系.X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600～-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大.原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚.透射光谱测试显示:在350～850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移.所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.
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| 关 键 词： | 电沉积 薄膜 量子尺寸效应 CdSe |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)05-0733-04 |
| 修稿时间： | 2007-11-02 |
Electrodeposition of CdSe nanocrystalline thin films at different deposition potentials |
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| YU Zi-long,CHEN Fuyi,JIE Wan-qi,YAN Xiao-hong. Electrodeposition of CdSe nanocrystalline thin films at different deposition potentials[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(5): 733-736 |
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| Authors: | YU Zi-long CHEN Fuyi JIE Wan-qi YAN Xiao-hong |
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