| 硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象 |
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| 引用本文： | 傅春寅,鲁永令,曾树荣. 硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 284-289 |
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| 作者姓名： | 傅春寅 鲁永令 曾树荣 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系 北京(傅春寅，鲁永令)，北京大学物理系 北京(曾树荣) |
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| 摘 要： | 在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。
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| 关 键 词： | 硅n~+-p结 金深受主能级 DLTS |
| 收稿时间： | 1987-07-30 |
| 修稿时间： | 1988-03-17 |
THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION |
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| Fu Chunyin Lu Yongling Zeng Shurong. THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(3): 284-289 |
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| Authors: | Fu Chunyin Lu Yongling Zeng Shurong |
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| Affiliation: | Department of Physics,Beijing University, Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si n~+-p junction Gold deep acceptor level DLTS |
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