| 应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响 |
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| 引用本文： | 马香柏,张进城,郝跃,冯倩. 应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响[J]. 微电子学, 2007, 37(1): 5-8 |
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| 作者姓名： | 马香柏 张进城 郝跃 冯倩 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态;而在热电子应力下,是沟道热电子填充界面态。
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| 关 键 词： | 电流崩塌 热电子应力 大电场应力 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）01-0005-04 |
| 修稿时间： | 2006-06-12 |
Effects of Bias Stress on Current Collapse in GaN HEMTs |
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| MA Xiang-bai,ZHANG Jin-cheng,HAO Yue,FENG Qian. Effects of Bias Stress on Current Collapse in GaN HEMTs[J]. Microelectronics, 2007, 37(1): 5-8 |
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| Authors: | MA Xiang-bai ZHANG Jin-cheng HAO Yue FENG Qian |
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| Abstract: | Experiments are made to study current collapse in GaN HEMTs.Results from the investigation indicate that physical mechanisms of drain current collapse and maximum transconductance reduction are different underdifferent bias stresses.The main mechanism under high field stress is that the electrons tunnel from the gate and fill the surface states of the top AlGaN layer,while under hot electron stress,the main mechanism is that the hot electrons from channel fill the interface states of AlGaN/GaN heterostructure. |
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| Keywords: | GaN HEMT |
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