| CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性 |
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| 引用本文： | 竺士炀,林成鲁,李金华. CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性[J]. 微电子学与计算机, 1995, 0(2) |
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| 作者姓名： | 竺士炀 林成鲁 李金华 |
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| 作者单位： | 中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室，江苏石油化工学院功能材料实验室 |
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| 摘 要： | 对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。
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| 关 键 词： | SIMOX材料，CMOS倒相器，总剂量辐照 |
Total Dose Irradiation Characteristics of CMOS/SIMOX Inverters |
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| Zhu Shiyang,Lin Chenglu. Total Dose Irradiation Characteristics of CMOS/SIMOX Inverters[J]. Microelectronics & Computer, 1995, 0(2) |
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| Authors: | Zhu Shiyang Lin Chenglu |
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| Keywords: | SIMOX material CMOS inverter Total dose irradiation |
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