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高压高速功率MOSFET驱动器IR2110
作者姓名:
宋筱
摘 要:
IR公司推出的MOSFET和IGBT驱动IR2110,功耗低,浮置电源采用自举电路输入与CMOS兼容,具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构,管脚功能,该器件可用于开关电源,电机驱动,电子镇流器和充电器中,本文还给出了几种实用电路。
关 键 词:
MOSFET驱动器 单片集成电路 IR2110
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