首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究
引用本文:
钟建国,谢钦熙,张恕明,乔怡敏,袁诗鑫.Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究[J].半导体学报,1990,11(9):680-687.
作者姓名:
钟建国
谢钦熙
张恕明
乔怡敏
袁诗鑫
作者单位:
中国科学院上海技术物理研究所 (钟建国,谢钦熙,张恕明,乔怡敏),中国科学院上海技术物理研究所(袁诗鑫)
摘 要:
本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。
关 键 词:
Ⅱ—Ⅵ族化合物
分子束外延
SIMS、RHEED
X光衍射
晶向偏角
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号