| CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响 |
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| 引用本文： | 刘秀娟,廖乃镘.CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响[J].半导体光电,2016,37(2). |
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| 作者姓名： | 刘秀娟 廖乃镘 |
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| 作者单位： | 中国电子技术标准化研究院,北京,100007;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响.研究结果表明,常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层,在台阶侧壁存在薄弱区,多晶硅层间击穿电压仅20 V,器件在可靠性试验后容易因多晶硅层间击穿而失效.采用LPCVD淀积二氧化硅技术消除了多晶硅台阶侧壁氧化层薄弱区,其层间击穿电压大于129 V,明显改善了器件可靠性.
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| 关 键 词： | 电荷耦合器件 多晶硅 击穿电压 可靠性 |
Effects of Inter-layer Insulating Dielectric of Polysilicon on Reliability of Charge-coupled Device |
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| LIU Xiujuan,LIAO Naiman.Effects of Inter-layer Insulating Dielectric of Polysilicon on Reliability of Charge-coupled Device[J].Semiconductor Optoelectronics,2016,37(2). |
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| Authors: | LIU Xiujuan LIAO Naiman |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | charge-coupled device polysilicon break-down voltage reliability |
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