| 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 王凯,邢艳辉,韩军,赵康康,郭立建,于保宁,李影智.低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究[J].半导体光电,2016,37(2). |
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| 作者姓名： | 王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61204011;6107026)，国家自然科学基金重点基金项目(U103760)，北京市自然科学基金项目(4142005). |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN:Mg薄膜.首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46 cm3/min的CP2 Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×1017 cm-3,(002)和(102)面FWHM分别为245和316 arcsec.随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降.
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| 关 键 词： | 薄膜 p型GaN Delta掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 |
Investigation on Low Source Flux Delta Doped p-GaN Flim Grown by MOCVD |
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| WANG Kai,XING Yanhui,HAN Jun,ZHAO Kangkang,GUO Lijian,YU Baoning,LI Yingzhi.Investigation on Low Source Flux Delta Doped p-GaN Flim Grown by MOCVD[J].Semiconductor Optoelectronics,2016,37(2). |
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| Authors: | WANG Kai XING Yanhui HAN Jun ZHAO Kangkang GUO Lijian YU Baoning LI Yingzhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin films p-GaN Delta doped low source flux MOCVD |
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