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采用Taguchi方法优化一种带外延层的PPD工艺参数
引用本文:徐渊,陆河辉,刘诗琪. 采用Taguchi方法优化一种带外延层的PPD工艺参数[J]. 半导体光电, 2016, 37(2): 193-196
作者姓名:徐渊  陆河辉  刘诗琪
作者单位:深圳大学信息工程学院,广东深圳,518000;深圳大学信息工程学院,广东深圳,518000;深圳大学信息工程学院,广东深圳,518000
基金项目:深圳市科技计划基础研究基金项目(JCYJ20140418095735603).
摘    要:引入Taguchi方法分析并优化一种带外延层的PPD结构(EPPD),并通过SILVACO软件进行验证.实验结果显示该方法通过对EPPD像素结构工艺参数的优化,提升了该结构抑制噪声的能力和光电转换性能.

关 键 词:Taguchi方法  外延层  PPD  SILVACO

Process Parameters Optimization of Pinned Photodiode with Epitaxial Layer Using Taguchi Method
XU Yuan,LU Hehui,LIU Shiqi. Process Parameters Optimization of Pinned Photodiode with Epitaxial Layer Using Taguchi Method[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(2): 193-196
Authors:XU Yuan  LU Hehui  LIU Shiqi
Abstract:
Keywords:Taguchi method  epitaxial layer  pinned photodiode  SILVACO
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