| 纳瓦级低功耗CMOS基准源研究与实现 |
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| 引用本文： | 张家军,赵雅静.纳瓦级低功耗CMOS基准源研究与实现[J].北方工业大学学报,2016,28(3). |
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| 作者姓名： | 张家军 赵雅静 |
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| 作者单位： | 北方工业大学电子信息工程学院,100144,北京;北方工业大学电子信息工程学院,100144,北京 |
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| 摘 要： | 工作在亚阈值区的2个MOS管栅压差值与温度成正比,基于这一理论,本文设计了一种纳瓦级功耗的带隙基准源电路.整体电路包括启动电路,一个纳安级电流源电路,一只双极晶体管和一个与绝对温度成正比(PTAT)的电压发生器.与传统CMOS带隙基准源相比,本文采用的结构具有更低的功耗.电路性能基于SMIC 0.18μm混合CMOS工艺仿真验证,结果显示此电路在1.8V电压下工作时,整体功耗120nW.
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| 关 键 词： | 低功耗 带隙基准 亚阈值 |
The Design of Nanowatt Low-power CMOS Reference Circuit |
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| ZHANG Jiajun,ZHAO Yajing.The Design of Nanowatt Low-power CMOS Reference Circuit[J].Journal of North China University of Technology,2016,28(3). |
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| Authors: | ZHANG Jiajun ZHAO Yajing |
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