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| MOCVD法制作的12沟道应变层异质结量子阱激光器阵列 | |
| 引用本文： | Cock.,TM 彭珍珍.MOCVD法制作的12沟道应变层异质结量子阱激光器阵列[J].光纤通信技术,1995(1):48-50. |
| 作者姓名： | Cock. TM 彭珍珍 |
| 摘 要： | 采用了选择区外延工艺来制作适用于波分复用的１２沟道应变层ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ隐埋异质结量子阱激光器阵列。测得单元间的波长间隔为１．９ｎｍ，与２ｎｍ的设计值非常吻合。 |
| 关 键 词： | 量子阱激光器 异质结 MOCVD 制作 |
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