| In0.53Ga0.47As／InP异质结光电二极管的深能级 |
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| 引用本文： | 汪开源,徐伟宏.In0.53Ga0.47As／InP异质结光电二极管的深能级[J].半导体光电,1995,16(2):138-141. |
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| 作者姓名： | 汪开源 徐伟宏 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测定了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ异质结光电二极管的ＤＬＴＳ谱。发现存在一电子陷阱，该陷阱能级位于导带底以下０．４４ｅＶ处，能级密度为３．１０×１０１３ｃｍ－３，电子俘获截面为１．７２×１０－１２ｃｍ－２。由于深能级的存在，导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。
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| 关 键 词： | 光电二极管 瞬态响应 电子陷阱 暗电流 |
Deep level in In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP heterojunction photodiodes |
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| WANG Kaiyuan,XU Weihong.Deep level in In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP heterojunction photodiodes[J].Semiconductor Optoelectronics,1995,16(2):138-141. |
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| Authors: | WANG Kaiyuan XU Weihong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor Materials Photodiodes Transient Response Electron Traps Dark Current |
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