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| 0.1μmT型栅PHEMT器件 | |
| 作者姓名： | 郑英奎 刘明 和致经 吴德馨 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京100029 |
| 摘 要： | 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) . |
| 关 键 词： | 二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMT T型栅 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）04-0476-05 |
| 修稿时间： | 2000-06-10 |
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