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| 等离子体源辅助磁控溅射法低温(200℃)制备多晶硅薄膜 | |
| 作者姓名： | 朱明 苏元军 范鹏辉 徐军 |
| 作者单位： | 1. 三束材料表面改性教育部重点实验室 大连理工大学 辽宁 大连 116024;日新电机-大连理工大学联合研发中心 辽宁 大连 116024 2. 日新电机-大连理工大学联合研发中心 辽宁 大连 116024 3. 三束材料表面改性教育部重点实验室 大连理工大学 辽宁 大连 116024 |
| 摘 要： | 利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜.详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究.利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征. |
| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 电感耦合等离子体 磁控溅射 拉曼散射 红外光谱 |
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