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Ti 离子注入 LiNbO_3表面损伤分析
引用本文:周建华,游伯强,张良莹,姚熹. Ti 离子注入 LiNbO_3表面损伤分析[J]. 材料研究学报, 1992, 6(6): 514-518
作者姓名:周建华  游伯强  张良莹  姚熹
作者单位:西安交通大学,西安交通大学电子材料研究室,西安交通大学,西安交通大学 西安市 710049
摘    要:本文分析了高能 Ti 离子注入 LiNbO_3后 x,y,z 三种不同切向的表面损伤分布及退火效应。x,y 切片表面损伤程度近乎无定形,Nb 原子迁移率 N_D/N=1;z 切片表面损伤仍未饱和,N_D/N=0.8。辐射损伤主要是大量 Nb 偏离晶格位置成为间隙原子,注入的 Ti 离子处于间隙位置—LiNbO_3结构中固有的空位,使晶格有微小的膨胀。注入后产生有大量的氧缺位,氧气氛中热退火可消除氧缺位,使位移原子恢复至原晶格位置,且大部分间隙位置上的 Ti 离子通过替代 Nb 或少数 Li 进入正规格点上,此处晶格有少许收缩;热处理后损伤的消除由注入层与衬底的界面处向外表面方向进行,需1000℃高温退火,晶格损伤才能获得明显的改善,氧气氛可防止氧缺位的增多。

关 键 词:离子注入  表面损伤  晶格间隙
收稿时间:1992-12-25
修稿时间:1992-12-25

SURFACE DAMAGE OF LiNbO_3 IMPLANTED BY Ti ION
ZHOU Jianhua,YOU Boqiang,ZHANG Liangying,YAO Xi. SURFACE DAMAGE OF LiNbO_3 IMPLANTED BY Ti ION[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1992, 6(6): 514-518
Authors:ZHOU Jianhua  YOU Boqiang  ZHANG Liangying  YAO Xi
Affiliation:Xi'an Jiaotong University
Abstract:Damage and annealing effect of x,y and z cut LiNbO_3 implanted by 350keVhigh energy Ti(1.5×10~(17)/cm~2)were studied.The damage caused by ion implantation is re-moved by high temperatures annealing in dry oxygen atomsphere at different temperatures andtim
Keywords:ion implantation  surface damage  lattice sites
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