无籽晶布里奇曼生长的CdTe熔体过热和过冷的相关性

最近，利用低温梯度分布（＜１０Ｋ／ｃｍ）进行半导体化合物的晶体生长受到重视。在无籽晶生长时发现在尖端区严重过冷。这种过冷效应取决于熔态的过热程度。对约大于１０Ｋ的过热熔体，过冷度的同步增加反映出熔化ＣｄＴｅ缔合结构的减少。若所用的过热大于９～１０Ｋ，结晶时可产生一个大的延伸多晶区。在最初凝固的多晶区后面有一单晶段，或只有一两个晶界的区域。用低过热度（＜９～１０Ｋ）时，经常可见到初始单晶生长区。但是在生长程序的较后阶段会产生较大数目的晶界。