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| InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器 | |
| 作者姓名： | 王健华 金峰 俞谦 孙可 李德杰 蔡丽红 黄绮 周钧铭 王玉田 庄岩 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系，中国科学院物理研究所，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比，光３ｄＢ带宽达３ＧＨｚ |
| 关 键 词： | 多量子阱 电吸收光调制器 半导体材料 光纤通信 |
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