| 双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件 |
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| 引用本文： | 昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英. 双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件[J]. 半导体学报, 2004, 25(7): 823-830 |
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| 作者姓名： | 昝育德 王俊 李瑞云 韩秀峰 王建华 于芳 刘忠立 王玉田 王占国 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083(昝育德，王俊，李瑞云，韩秀峰，王建华，于芳，刘忠立，王玉田，王占国)，中国科学院半导体研究所 北京100083(林兰英) |
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| 摘 要： | 报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.
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| 关 键 词： | 外延 CMOS SOS 双异质外延 单晶薄膜 工艺制作 CMOS 器件 结果 集成电路 场效应晶体管 γ氧化铝 外延生长 MOCVD 高真空 利用 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)07-0824-07 |
| 修稿时间： | 2003-08-01 |
CMOS Device Fabricated from Si/Al2O3/Si |
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| Zan Yude,Wang Jun,Li Ruiyun,Han Xiufeng,Wang Jianhua,Yu Fang,Liu Zhongli,Wang Yutian,Wang Zhanguo and Lin Lanying. CMOS Device Fabricated from Si/Al2O3/Si[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(7): 823-830 |
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| Authors: | Zan Yude Wang Jun Li Ruiyun Han Xiufeng Wang Jianhua Yu Fang Liu Zhongli Wang Yutian Wang Zhanguo Lin Lanying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | epitaxy CMOS SOS |
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