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| Cree公司研制成第一个40WGaN MMIC放大器 | |
| 作者姓名： | Cree公司研制成工作频率10GHz的GaNHEMT，脉冲RF功率为40W。该器件可用于混合放大器，12mm器件的特点：PAE为20%，功率密度为3.39W/mm。不久前在康奈大学的会议上宣布最新的结果，Cree公司宣称，这种晶体管提供的功率比任一GaAs器件高2.5倍之多，该公司以前报道的结果，在10GHz下，器件提供的脉冲功率为15W。 Cree已报道GaN MMIC，生长在半绝缘SiC衬底上，初步结果是：在94GHz下，脉冲RF功率为20W，增益为14dB，PAE为20%。 Cree公司坚信，GaN MMIC表志着高性能宽带隙MMIC基放大器新时代来到，并期待功率和带宽方面更好的其他半 |
| 摘 要： | Ｃｒｅｅ公司研制成工作频率 10ＧＨｚ的ＧａＮＨＥＭＴ ,脉冲ＲＦ功率为 4 0Ｗ。该器件可用于混合放大器 ,12ｍｍ器件的特点 :ＰＡＥ为 2 0 % ,功率密度为 3.39Ｗ /ｍｍ。不久前在康奈大学的会议上宣布最新的结果 ,Ｃｒｅｅ公司宣称 ,这种晶体管提供的功率比任一ＧａＡｓ器件高 2 .5倍之多 ,该公司以前报道的结果 ,在 10ＧＨｚ下 ,器件提供的脉冲功率为 15Ｗ。Ｃｒｅｅ已报道ＧａＮＭＭＩＣ ,生长在半绝缘ＳｉＣ衬底上 ,初步结果是 :在 94ＧＨｚ下 ,脉冲ＲＦ功率为 2 0Ｗ ,增益为 14ｄＢ ,ＰＡＥ为 2 0 %。Ｃｒｅｅ公司坚信 ,ＧａＮＭＭＩ… |
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