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| 掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓 | |
| 作者姓名： | 林兰英 叶式中 何宏家 曹福年 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(林兰英，叶式中，何宏家)，中国科学院半导体研究所(曹福年) |
| 摘 要： | 掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物. |
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