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| 金属离子注入技术的研究及其应用 | |
| 引用本文： | 李中岳,王平,杨树贞.金属离子注入技术的研究及其应用[J].真空电子技术,2000(6):50-51. |
| 作者姓名： | 李中岳 王平 杨树贞 |
| 作者单位： | 航天总公司504所,陕西西安 |
| 摘 要： | 气体离子注入技术在很多领域里获得了广泛的应用 ,取得了明显的经济效益和技术成果。它在半导体集成电路技术中已成为核心技术。金属离子注入技术是一项新技术 ,1 985年美国布朗教授发表了他的成果——强脉冲金属离子源 ,并研制成功了小型离子注入设备。这使得金属离子注入技术研究推进到一个新阶段。研究的结果表明 ,金属离子注入比气体离子注入有着更加广泛的使用价值和发展前景。因此国内很重视此项技术。我所根据航天设备对膜层的特殊要求 ,从 1 995年起对金属离子注入及成膜技术进行专门的研究 ,现已取得明显的成效。1 金属离子注入技… |
| 关 键 词： | 金属离子注入 成膜 半导体制造工艺 |
| 修稿时间： | 1999-12-29 |
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