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| NTDCZSi中与氧有关的PL谱 | |
| 作者姓名： | 张维连 闫书霞 |
| 作者单位： | 河北工业大学材料研究中心 天津300310(张维连，闫书霞)，河北工业大学材料研究中心 天津300310(孙军生) |
| 摘 要： | 中子嬗变掺杂直拉硅单晶在１０５０－１１００℃６ｈ退火时，体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷。光致发光在０．７６－１．０００ｅＶ范围出现了ＰＬ峰，而非中照的ＣＺＳｉ在相同条件下退火却滑以检测出明显的ＰＬ峰。 |
| 关 键 词： | 中子嬗变掺杂 直拉硅 光致发光 二次缺陷 |
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