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PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用
引用本文:王钧石,柳襄怀,王曦.PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用[J].稀有金属,2004,28(4):690-694.
作者姓名:王钧石  柳襄怀  王曦
作者单位:1. 西南交通大学材料科学与工程学院,四川,成都,610031
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050
基金项目:中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室基金 ( 10 0 0 2 7),西南交通大学校基金 ( 2 0 0 0 12 )
摘    要:采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15~ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)和耐磨性

关 键 词:立方氮化硼(cBN)  渗硼  等离子体浸没式离子入注(PIII)
文章编号:0258-7076(2004)04-0690-05
修稿时间:2003年8月27日

Application of PIII Technology in Preparing of c-BN Hardened Layers
Wang Junshi ,Liu Xianghuai ,Wang Xi.Application of PIII Technology in Preparing of c-BN Hardened Layers[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(4):690-694.
Authors:Wang Junshi  Liu Xianghuai  Wang Xi
Affiliation:Wang Junshi 1*,Liu Xianghuai 2,Wang Xi 2
Abstract:
Keywords:cubic boron nitride (c  BN)  bornising  plasma immersion ion implantation(PIII)
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