| 偏振光腔衰荡技术测量单层SiO2薄膜特性 |
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| 引用本文： | 武梅妤,王静,李斌成.偏振光腔衰荡技术测量单层SiO2薄膜特性[J].光电工程,2021,48(11):32-40. |
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| 作者姓名： | 武梅妤 王静 李斌成 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电科学与工程学院,四川 成都 610054 |
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| 摘 要： | 为了探究特定沉积工艺参数下,不同沉积角度对SiO2光学薄膜损耗及应力双折射的影响,本文采用一种高灵敏探测方法—偏振光腔衰荡技术表征单层SiO2光学薄膜.该技术基于测量光学谐振腔内偏振光来回反射累积后的衰荡时间特性及产生的相位差振荡频率,实现光学元件的光学损耗和残余应力的同点、同时绝对测量.实验对60°、70°和80°沉积角度条件下制备的单层SiO2薄膜样品进行了应力和光学损耗的测量分析.结果显示了不同沉积角度条件下制备的SiO2薄膜表面粗糙程度和致密性变化对薄膜损耗和应力双折射效应的影响,该结果对制备低光学损耗、低应力SiO2光学薄膜提供了技术指导.
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| 关 键 词： | 偏振光腔衰荡 光学损耗 应力双折射 SiO2光学薄膜 |
Polarized cavity ring-down technique for characterization of single-layer SiO2 films |
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| Wu Meiyu,Wang Jing,Li Bincheng.Polarized cavity ring-down technique for characterization of single-layer SiO2 films[J].Opto-Electronic Engineering,2021,48(11):32-40. |
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| Authors: | Wu Meiyu Wang Jing Li Bincheng |
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