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CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征
引用本文:刘永胜,成来飞,张立同,徐永东,刘谊.CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征[J].无机材料学报,2005,20(5):1208-1214.
作者姓名:刘永胜  成来飞  张立同  徐永东  刘谊
作者单位:西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072
基金项目:国家重点基金(90405015);国家杰出青年基金(50425208).
摘    要:以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料,渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生品型转变,由非品态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4。渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀。

关 键 词:化学气相渗透(CVI)  C/Si3N4复合材料  微观结构  工艺参数
文章编号:1000-324X(2005)05-1208-07
收稿时间:08 6 2004 12:00AM
修稿时间:2004-08-062004-10-25

Preparation and Characterization of C/Si3N4 Composites by Chemical Vapor Infiltration
Liu Yong-sheng,CHENG Lai-fei,ZHANG Li-tong,XU Yong-dong,LIU Yi.Preparation and Characterization of C/Si3N4 Composites by Chemical Vapor Infiltration[J].Journal of Inorganic Materials,2005,20(5):1208-1214.
Authors:Liu Yong-sheng  CHENG Lai-fei  ZHANG Li-tong  XU Yong-dong  LIU Yi
Abstract:
Keywords:chemical vapor infiltration (CVI)  C/Si3N4 composites  microstructure  process parameters
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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