| 基于 PDSOI工艺的抗 SET锁相环设计 |
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| 引用本文： | 吕荫学,刘梦新,罗家俊,叶甜春.基于 PDSOI工艺的抗 SET锁相环设计[J].微电子学与计算机,2013(9). |
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| 作者姓名： | 吕荫学 刘梦新 罗家俊 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 基于0．35μm PDSOI工艺设计了一款输出频率范围为700M Hz-1．0GHz的锁相环电路，利用Sentaurus TCAD工具对其进行单粒子瞬变（SET ）混合模拟仿真，确定其SET敏感部件并建立SET分析模型，分析了SET与锁相环系统参数之间的关系．通过增加由一个感应电阻、一对互补运算放大器和互补SET电流补偿晶体管组成的限流电路并利用多频带结构降低了VCO的增益，显著提升了锁相环的抗SET性能．仿真结果表明，CP中发生SET后VCO控制电压Vc的波动峰值、锁相环的恢复时间以及输出时钟的错误脉冲数明显降低，分别为未加固锁相环的43．9％、49．7％和29．1％，而辐射加固前后 VCO的基本结构变化不大，其SET轰击前后无明显变化．
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| 关 键 词： | 锁相环 单粒子效应 抗辐射加固 压控振荡器 多频带 |
A Single-Event Hardened Phase-Locked Loop Design Based on PDSOI CMOS Process |
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| LV Yin-xue
,
LIU Meng-xin
,
LUO Jia-jun
,
YE Tian-chun.A Single-Event Hardened Phase-Locked Loop Design Based on PDSOI CMOS Process[J].Microelectronics & Computer,2013(9). |
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| Authors: | LV Yin-xue LIU Meng-xin LUO Jia-jun YE Tian-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PLL single-event transient radiation hard VCO multi-band |
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