| 一种高性能的亚阈值基准电压源设计 |
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| 引用本文： | 代赟,张国俊. 一种高性能的亚阈值基准电压源设计[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(5) |
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| 作者姓名： | 代赟 张国俊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学薄膜与器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 摘 要： | 本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5～8V范围内工作,线性调整率为0.3mV/V.在3.3V工作电压下,输出基准在-55℃到150℃温度范围内温度系数为7.3ppm/℃,静态功耗为13.8μW,1kHz下电源抑制比为-53dB.该基准电压源的设计能满足宽温度范围、低温漂、低功耗和高电源抑制比的要求.
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| 关 键 词： | 亚阈值基准电压源 线性区 温度系数 电源抑制比 低功耗 |
A Design of High Performance Voltage Reference Based on Subthreshold |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | subthreshold voltage reference linear region temperature coefficient power supply rejection ratio low power |
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