| 非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计 |
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| 引用本文： | 田京辉,黄其煜. 非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(5) |
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| 作者姓名： | 田京辉 黄其煜 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学微电子学院,上海200030;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203
2. 上海交通大学微电子学院,上海,200030 |
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| 摘 要： | 通过Vth与VT(热电压)相互补偿原理,提出一种新型非带隙CMOS电压基准源,其输出基准电压具有极低温度系数.采用0.34μmFoundry18工艺模型和Candance Spectre EDA工具对电路进行模拟验证,获得以下结果:输出电压为552.845mV(T=27℃,VDD=3.3V),温度系数为1.98ppm/℃(-30℃℃～+130℃),功耗为21.85μw.电源电压从2.5V变到4.5V,输出电压的变化为0.15％(相对于VDD=3.3V时的输出).该电压基准源可望应用于高精度、低功耗IC系统的设计研发.
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| 关 键 词： | 非带隙 低功耗 阈值电压 CMOS电压基准 |
Design forLow Power Low Temperature Coefficient CMOS Voltage Reference Circuit |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | non-bandgap low power threshold voltage CMOS voltage reference |
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