| 一种降低高性能SRAM过大位线漏电流的方法 |
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| 引用本文： | 刘其龙,丁夏夏,李瑞兴,吴秀龙,谭守标. 一种降低高性能SRAM过大位线漏电流的方法[J]. 微电子学, 2013, 43(4): 494-498 |
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| 作者姓名： | 刘其龙 丁夏夏 李瑞兴 吴秀龙 谭守标 |
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| 作者单位： | 安徽大学电子信息工程学院,合肥,230601 |
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| 摘 要： | 随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势。高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生。特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋于失效。提出位线自截断技术来消除过大漏电流对SRAM的不利影响。采用SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一款SRAM,通过仿真测试,验证了该方法的正确性。
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| 关 键 词： | SRAM 位线漏电流 漏电流降低 位线自截断 |
A New Technique to Reduce Excessive Leakage Current on Bitline in High-Performance SRAM |
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| LIU Qilong,DING Xiaxi,LI Ruixing,WU Xiulong,TAN Shoubiao. A New Technique to Reduce Excessive Leakage Current on Bitline in High-Performance SRAM[J]. Microelectronics, 2013, 43(4): 494-498 |
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| Authors: | LIU Qilong DING Xiaxi LI Ruixing WU Xiulong TAN Shoubiao |
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| Affiliation: | (School of Electronics and Information Engineering,Anhui University,Hefei 230601,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM Bitline leakage current Leakage current reduction Bitline self cut-off |
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