双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ.滑移带和形变带SCIEI |
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引用本文: | 宫波,王中光.双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ.滑移带和形变带SCIEI[J].金属学报,1994,30(10):A439-A447. |
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作者姓名: | 宫波 王中光 |
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作者单位: | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室 |
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摘 要: | 用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向([034],[117])Cu单晶循环饱和后的表面形貌,塑性分切应变幅(γpl)低于10^(-3)时,[034]晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带(PSBs)占据,次滑移只在边缘区域启动,其PSBs细窄(<1μm),体积百分数在1%以下.γpl>10^(-3)时,次滑移开始在试样的中部启动,同时,表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带(DBI,DBII),滑移带在形变带内集中.[117]晶体在γpl=4.4×10^(-4)时,双滑移现象已十分明显.γpl>10^(-3)时,表面也形成与前者相似的形变带.DBI的惯习面与主滑移面平行([034]晶体)或接近([117]晶体),DBII的惯习面则与前者垂直,文章讨论了形变带形成的可能原因.
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关 键 词: | 双滑移 滑移带 形变带 铜单晶 |
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