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| 退火时间对ZnO：Al薄膜性能的影Ω响 | |
| 作者姓名： | 袁兆林 祖小涛 薛书文 李绪平 向霞 王毕艺 田东彬 邓宏 毛飞燕 |
| 作者单位： | [1]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054 [2]中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳110015 [3]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054 |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al／Zn原子比为0．1％的ZnO：Al薄膜，在500℃的氩气中进行了1～5h不同时间退火处理，利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响。结果显示，退火1h时，样品出现了C轴择优取向，深能级发射（DLE）提高，可见光区光学透过率约为80％，电阻率仅为4×10^-2Ω·cm。更长时间退火后，随着退火时间增加，薄膜结晶质量逐渐变差，电阻率逐渐增大。 |
| 关 键 词： | 溶胶-凝胶法 ZnO：Al薄膜 光致发光 退火时间 透过率 |
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