| 双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性 |
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| 引用本文： | 张富强,杨瑞霞,付浚.双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性[J].河北工业大学学报,2000,29(6):12-16. |
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| 作者姓名： | 张富强 杨瑞霞 付浚 |
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| 作者单位： | 河北工业大学 电气信息学院，天津 300130 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金，5970437， |
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| 摘 要： | 对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算，包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布，在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的I－V特性的影响。
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| 关 键 词： | 空间电荷区 电子注入接触 空穴注入接触 驰豫半导体 砷化镓 电传输特性 |
| 文章编号： | 1007-2373（2000）06-0012-05 |
| 修稿时间： | 2000年4月27日 |
Charge Transport Properties of Semi-insulating GaAs with Two Metal Contacts |
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| ZHANG Fu-qiang,YANG Rui-xia,FU Jun.Charge Transport Properties of Semi-insulating GaAs with Two Metal Contacts[J].Journal of Hebei University of Technology,2000,29(6):12-16. |
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| Authors: | ZHANG Fu-qiang YANG Rui-xia FU Jun |
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| Abstract: | In this article the electric characteristics of semi-insulating GaAs with two metal contacts (MSM) are calculated, including the di stributions of the space-charge density and of electron and hole condu ctivities for different electron and hole-supplying contacts with diff erent bias voltages. On the basis of calculated results, the bias volt age dependence of the space charge region near the MS interface and it s effects on the current-voltage (I-V)characteristics of this struct ure are analyzed. |
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| Keywords: | GaAs space charge region electron-supplying contact hole-supplying contact regime semiconductor |
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