|
|||||
|
|
| 新型MOS晶体管式压力传感器 | |
| 引用本文： | 张艳红,刘理天,张兆华,谭智敏,林惠旺.新型MOS晶体管式压力传感器[J].微纳电子技术,2007(8). |
| 作者姓名： | 张艳红 刘理天 张兆华 谭智敏 林惠旺 |
| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
| 摘 要： | 在应力作用下,MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化.基于MOS晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器.该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比,继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高. |
| 关 键 词： | 力敏效应 MOS晶体管 灵敏度 功耗 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |