Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究 |
| |
作者姓名: | 肖雪芳 谢生 陈朝 |
| |
作者单位: | 厦门理工学院电子与电气工程系,厦门,361024;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;厦门大学物理系,厦门,361005 |
| |
摘 要: | 以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。
|
关 键 词: | 化合物半导体 锌扩散 快速热退火 砷化镓 磷化铟 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|