| 新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析 |
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| 引用本文： | 朱胜利,姚素英,郑云光,李树荣,张世林,郭维廉. 新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析[J]. 半导体学报, 2004, 25(5): 573-578 |
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| 作者姓名： | 朱胜利 姚素英 郑云光 李树荣 张世林 郭维廉 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072 |
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| 摘 要： | 给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景
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| 关 键 词： | 光电负阻器件 光电双极晶体管 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0573-06 |
| 修稿时间： | 2003-04-12 |
Characteristic Simulation and Test Analyses of Darlington Photo-Lambda Bipolar Transistor |
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| Zhu Shengli ,Yao Suying,Zheng Yunguang,Li Shurong,Zhang Shilin and Guo Weilian. Characteristic Simulation and Test Analyses of Darlington Photo-Lambda Bipolar Transistor[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(5): 573-578 |
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| Authors: | Zhu Shengli Yao Suying Zheng Yunguang Li Shurong Zhang Shilin Guo Weilian |
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| Affiliation: | Zhu Shengli 1,Yao Suying,Zheng Yunguang,Li Shurong,Zhang Shilin and Guo Weilian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photo electronic negative resistance device DPLBT simulation |
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