| a—Si：H TFT自对准工艺的研究 |
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| 引用本文： | 张少强,徐重阳.a—Si：H TFT自对准工艺的研究[J].光电子技术,1995,15(3):200-204. |
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| 作者姓名： | 张少强 徐重阳 |
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| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430074，华中理工大学固体电子学系!武汉，430 |
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| 摘 要： | 实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。
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| 关 键 词： | 非晶硅 薄膜晶体管 液晶显示器 工艺 |
Study of the Self-alignment Process for a-Si: H TFT |
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| Zhang Shaoqiang, Xu Zhongyang, Zhao Bofang, Zou Xuecheng, Fu Hui,Yuan Qiyan,Zhou Xuemei,Wang Changan.Study of the Self-alignment Process for a-Si: H TFT[J].Optoelectronic Technology,1995,15(3):200-204. |
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| Authors: | Zhang Shaoqiang Xu Zhongyang Zhao Bofang Zou Xuecheng Fu Hui Yuan Qiyan Zhou Xuemei Wang Changan |
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| Abstract: | The manufacture process of a self-alignment a-Si: H TFT is studied,the key technics such as the bottom exposure and lift-off are discussed in datail. Based on the optimization of the process condition and structure parameters,the self-alignment a-Si: H TFT has been successfully obtained. The effect of the active layer thickness on the device chracteristics is aiscussed. A novel double active layer a-Si: H TFT,which can effectively increase the ON/OFF current ratio(>105) is proposed. |
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| Keywords: | amorphous thin film transistor liquid crystal display |
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