| 色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响 |
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| 引用本文： | 王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南,莫春兰,江风益.色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响[J].半导体学报,2005,26(5):917-921. |
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| 作者姓名： | 王立 方文卿 蒲勇 郑畅达 戴江南 莫春兰 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中，观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象．经研究证实，这是由于Kα2线参与衍射引起的．通过计算Kα1和Kα2线在不同晶面衍射的分离角并与实验现象对比，阐明了GaN样品(102)半峰宽比(002)小以及ZnO(002)衍射峰分裂的原因．在此基础上，进一步分析了在使用不同参考晶体的双晶衍射系统中，GaN和ZnO的各晶面被X射线色散展宽的情况，并提出，在使用Si，Ge或GaAs的(220)面为参考晶面的双晶衍射仪中，GaN和ZnO的(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应的影响小；而在使用Si，Ge或GaAs的(004)面为参考晶面的双晶衍射系统中，(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应影响较大，此时(004)和(103)受色散影响小，因此用来表征晶体质量将更可靠．
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| 关 键 词： | GaN ZnO 金属有机物化学气相沉积 X射线双晶衍射 色散效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-0917-05 |
| 修稿时间： | 2004年7月1日 |
Influence of Dispersion on ZnO and GaN XRD Rocking Curves |
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| Wang Li,Fang Wenqing,Pu Yong,Zheng Changda,Dai Jiangnan,Mo Chunlan,Jiang Fengyi.Influence of Dispersion on ZnO and GaN XRD Rocking Curves[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5):917-921. |
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| Authors: | Wang Li Fang Wenqing Pu Yong Zheng Changda Dai Jiangnan Mo Chunlan Jiang Fengyi |
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| Keywords: | GaN ZnO MOCVD double-crystal XRD dispersion |
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