| 等离子体横向刻蚀硅的特性研究 |
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| 引用本文： | 范忠,赖宗声,张文娟,郭方敏.等离子体横向刻蚀硅的特性研究[J].微细加工技术,2002(2):38-40. |
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| 作者姓名： | 范忠 赖宗声 张文娟 郭方敏 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系,上海,200062 |
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| 基金项目： | 上海市科委AM基金资助项目 (1998年度 )，国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 12 )，高校博士点专项基金资助项目 (1998年度 )，国家 973项目《集成微光机电系统研究》资助项目 (G199903310 5 ) |
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| 摘 要： | 研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。
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| 关 键 词： | MEMSRF/WM无源器件 SiO2+Al掩模 等离子体横向刻蚀 |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)02-0038-03 |
| 修稿时间： | 2001年8月2日 |
Study on Characteristics of Lateral Plasma Etching of Si |
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| FAN Zhong,LAI Zong-sheng,ZHANG Wen-juan,GUO Fang-Min.Study on Characteristics of Lateral Plasma Etching of Si[J].Microfabrication Technology,2002(2):38-40. |
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| Authors: | FAN Zhong LAI Zong-sheng ZHANG Wen-juan GUO Fang-Min |
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| Abstract: | The Si lateral etching with SF 6+O 2 mixed plasma and SiO 2+Al as a mask is investigated.The experimental results show that Al is good mask to resist SF 6+O 2 plasma.So the bigger openings can be formed under the being suspended devices.As a result,the MEMS RF/MW passive devices with the lateral dimension of hundreds microns and good high frequency performance,such as switch,transmission line,inductor and capacitor,could be integrated on the silicon substrate by this technology. |
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| Keywords: | s:MEMS RF/MW passive device SiO 2+Al mask plasma lateral etching |
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