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| TEOS—O3系常压CVD技术 | |
| 作者姓名： | 松浦正纯 陈学珍 |
| 摘 要： | 一、前言目前，LSI随着器件结构的微细化，运用多层布线技术的器件结构的多层化得到进一步发展。由于这种器件结构复杂，对用绝缘收掩埋在圆片上所形成的高纵横尺寸比台阶这一平坦化技术的要求也就越来越严。近年来，作为解决这一问题的最有效伯措施则是采用TEOS[四乙氛基硅炼Si（OC2H5）4]的CVD技术采取代以往采用的硅院（SiH4）．特别引人注目的是，TEOS和嗅氧（O3）采用常压CVD法而形成的氧化股，具有良好的台阶复盖性。此外，用这种方法所形成的BPSG膜与硅烷系相比，台阶复盖性也优越，所以成为人们研讨的热门课题。本文介… |
| 关 键 词： | 多层布线 化学汽相沉积 四乙氧基硅烷 臭氧 |
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