首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

用高频电容法测量P/P外延层电阻率
引用本文:聂海谱.用高频电容法测量P/P外延层电阻率[J].微电子技术,1994,22(1):61-64.
作者姓名:聂海谱
作者单位:中国华晶电子集团公司质量部!无锡,214061
摘    要:高频电容法是测量P/P~+外延层电阻率的一种简单易行的新方法。这种方法,直接利用同质均匀掺杂外延层电阻率ρ与空间电荷电容Cs(势垒电容)平万的倒数关系,通过测量势垒电容Cs,直接得到P/P~+外延层的电阻率ρ。从而实现对P/P~+外延片的生产第艺过程,进行监控测试。这种方法,不但测试过程简单,而且,不损伤外延层。它既可以在国外仪器上完成,又可以在国内仪器上完成,适用于我国一般IC单位。在国外仪器上,测量范围为2.20×10~(-4)Ω·cm~1.95×10~5Ω·cm,测量误差为±0.02%:在国内仪器上,电阻率测量范围为1.0×10~(-3)Ω·cm~1.0×10~5Ω·cm,测量误差为±2%。

关 键 词:高频电容法  测量  外延层  电阻率
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号