用高频电容法测量P/P外延层电阻率 |
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引用本文: | 聂海谱.用高频电容法测量P/P外延层电阻率[J].微电子技术,1994,22(1):61-64. |
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作者姓名: | 聂海谱 |
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作者单位: | 中国华晶电子集团公司质量部!无锡,214061 |
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摘 要: | 高频电容法是测量P/P~+外延层电阻率的一种简单易行的新方法。这种方法,直接利用同质均匀掺杂外延层电阻率ρ与空间电荷电容Cs(势垒电容)平万的倒数关系,通过测量势垒电容Cs,直接得到P/P~+外延层的电阻率ρ。从而实现对P/P~+外延片的生产第艺过程,进行监控测试。这种方法,不但测试过程简单,而且,不损伤外延层。它既可以在国外仪器上完成,又可以在国内仪器上完成,适用于我国一般IC单位。在国外仪器上,测量范围为2.20×10~(-4)Ω·cm~1.95×10~5Ω·cm,测量误差为±0.02%:在国内仪器上,电阻率测量范围为1.0×10~(-3)Ω·cm~1.0×10~5Ω·cm,测量误差为±2%。
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关 键 词: | 高频电容法 测量 外延层 电阻率 |
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