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| 非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究 | |
| 引用本文： | 李国华,陶明德,谭辉,曲凤钦,韩英.非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究[J].半导体学报,1987,8(2):182-185. |
| 作者姓名： | 李国华 陶明德 谭辉 曲凤钦 韩英 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理所 (李国华，陶明德，谭辉，曲凤钦)，中国科学院新疆物理所(韩英) |
| 摘 要： | 测量了用高频溅射法生长的非晶碳化硅薄膜的室温拉曼谱.观察到在400—600cm~(-1)、700-1000cm~(-1)、1200—1600cm~(-1)处的三个宽拉曼散射峰,分别对应于Si-Si、Si-C、C-C键.并发现在不同电阻率的样品中三个峰的相对强度有明显的差别.同时测量了高频溅射法生长的非晶锗-碳薄膜的室温拉曼谱.与非晶碳化硅薄膜不同,没有观察到对应于Ge-C 键的拉曼散射峰. |
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