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| 基于EGSnrc MP模拟计算X射线在重金属和硅界面的剂量增强因子 | |
| 引用本文： | 黎亚平,吴丽萍.基于EGSnrc MP模拟计算X射线在重金属和硅界面的剂量增强因子[J].辐射防护,2008,28(5):296-300. |
| 作者姓名： | 黎亚平 吴丽萍 |
| 作者单位： | [1]三峡大学理学院,湖北宜昌443002 [2]四川大学物理科学与技术学院,成都610064 |
| 摘 要： | 当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。 |
| 关 键 词： | X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子 |
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