| EEPROM单元结构的变革及发展方向 |
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| 引用本文： | 于宗光,魏同立.EEPROM单元结构的变革及发展方向[J].固体电子学研究与进展,1996,16(3):233-240. |
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| 作者姓名： | 于宗光 魏同立 |
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| 作者单位： | 华晶集团中央研究所，东南大学微电子中心 |
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| 摘 要： | 扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。
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| 关 键 词： | EEPROM，结构，金属－氮化物－半导体，浮栅－隧道氧化物 |
Development and Trends of EEPROM Cell Structrue |
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| Yu Zongguang,Xu Juyan.Development and Trends of EEPROM Cell Structrue[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1996,16(3):233-240. |
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| Authors: | Yu Zongguang Xu Juyan |
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| Abstract: | In this paper,cell structures of electrically erasable and programmable read-only memory(EEPROM)in various development phases are presented briefly.Then, the trends of EEPROM cell structure are described. |
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| Keywords: | EEPROM Structure MNOS FLOTOX |
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