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| GaAs非对称波导形耦合器研究 | |
| 引用本文： | 王明华,冯浩,杨左娅,李锡华,卢逸榕.GaAs非对称波导形耦合器研究[J].光电子．激光,1992(1). |
| 作者姓名： | 王明华 冯浩 杨左娅 李锡华 卢逸榕 |
| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程学系 (王明华，冯浩，杨左娅，李锡华)，浙江大学信息与电子工程学系(卢逸榕) |
| 摘 要： | 在(100)GaAs同质结外延衬底上(波导层厚3μm,杂质浓度n~-≈10~(15)/cm~3)研制了非对称波导X交叉型3dB耦合器,对称波导条宽6μm,分叉角0.8°;非对称波导宽臂条宽6.5μm,窄臂条宽5.5μm。分叉角0.4°,波导脊高1μm。实验结果证明,该器件具有良好的3dB耦合特性,并获得15dB的消光比,可以成为集成光学的基础元件之一,在研制2×2集成光学器件方面有广泛地应用前景。 |
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