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高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对核辐射探测器的影响
引用本文:宿昌厚,姜玉香.高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对核辐射探测器的影响[J].稀有金属,1983(6).
作者姓名:宿昌厚  姜玉香
作者单位:北京核仪器厂 (宿昌厚),北京核仪器厂(姜玉香)
摘    要:硅单晶断面少子寿命分布均匀与否的问题,以前提及得很少。本文基于大量测试数据讨论了N 型区熔高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对面垒型核辐射探测器性能的影响。

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