| SOI的自加热效应与SOI新结构的研究 |
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| 引用本文： | 林青,谢欣云,朱鸣,张苗,林成鲁.SOI的自加热效应与SOI新结构的研究[J].功能材料与器件学报,2002,8(2):205-210. |
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| 作者姓名： | 林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.90101012)，国家重点基础研究项目(No.G20000365) |
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| 摘 要： | 阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响，并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求，国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构，如SOIM，Silicon onAlN,GPSOI,SiCOI,GeSiOI,SON,SSOI等，结论SOI新结构制备工作，报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。
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| 关 键 词： | 自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI |
| 文章编号： | 1007-4252(2002)02-0205-06 |
| 修稿时间： | 2001年7月9日 |
Study on self- heating effect and new structures of SOI material |
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| LIN Qing,XIE Xin -yun,ZHU Ming,ZHANG Miao,LIN Cheng -lu.Study on self- heating effect and new structures of SOI material[J].Journal of Functional Materials and Devices,2002,8(2):205-210. |
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| Authors: | LIN Qing XIE Xin -yun ZHU Ming ZHANG Miao LIN Cheng -lu |
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| Abstract: | A brief introduction of the self -heating effect of SOI material and the t hermal analysis on it are presented.The concept of self-heating and the effects which cause,degradation of the drain current and formation of negative di fferential transconductance are described.Some new structures of SOI have been studied,such as SOIM,s ilicon -on -AlN,GPSOI,SiCOI,GeSiO I,SON,SSOI ,all of which can alleviate the effects ca used by self -heating. |
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| Keywords: | self -heating effect drain curren t aberration of transconductance negative differential mobility new SOI structure |
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