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| 压接型IGBT串联自取能关键技术研究 | |
| 摘 要： | 基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联型电压源换流器具有诸多优点,而且IGBT串联应用的主要优势领域为高压柔性直流输电,故IGBT的驱动保护电路供电方式只有高电位自取能是可行的,即在压接型IGBT'源漏极之间获取电能。从而可知,高电位自取能回路是影响电压均衡的重要因素之一。此处首先提出高电位自取能技术方案,其次,建立IGBT'串联应用条件下的高电位自取能回路约束条件,从而确立所涉及的关键技术。最后提出高电位自取能直流变换器的设计方案,并基于此进行实验研究验证其技术的可行性。 |
A Key Technology Research for Self Energy on IGBTs Series Valve |
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