| GaAs功率场效应管失效中源一漏烧毁现象的SEM／SAM研究 |
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| 引用本文： | 杨得全,范垂祯. GaAs功率场效应管失效中源一漏烧毁现象的SEM／SAM研究[J]. 真空与低温, 1995, 0(2) |
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| 作者姓名： | 杨得全 范垂祯 |
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| 作者单位： | 兰州物理研究所 |
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| 摘 要： | 采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧毁源、漏条部位表面化学元素有Ｃ、Ｏ、Ｔｉ、Ｎ和Ｇａ，其中Ｃ、Ｏ在表层几十纳米深度内均有相当高的含量。结合分析结果，讨论了源－漏烧毁的物理机理。
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| 关 键 词： | 砷化镓场效应晶体管，烧毁失效分析，SEM，SAM |
ASPECT OF FAILURE OF SOURCE-DRAIN BURNOUT FOR GaAs MESFET BY SEM AND SAM |
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| Yang Dequan, Fan Chuizhen. ASPECT OF FAILURE OF SOURCE-DRAIN BURNOUT FOR GaAs MESFET BY SEM AND SAM[J]. Vacuum and Cryogenics, 1995, 0(2) |
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| Authors: | Yang Dequan Fan Chuizhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaSs MESFET Burnout failure analysis SEM SAM. |
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