用残气谱研究HT—7超导托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧性

硼碳膜吸氧将导致真空室残气中水分压的降低，所以可以通过分析各种情况下真空室残气谱水分压的变化，来研究托卡马克等一壁硼碳膜的吸氧过程，残气谱分析表明硼化过程中，硼碳膜吸氧；各种等离子体轰击过程中硼碳膜吸氧；而没有等离子体轰击时如抽本底真空过程中，硼碳膜不吸氧。了解这些过程对合理使用膜有重要意义。